Preview

Proceedings of Telecommunication Universities

Advanced search

THE FRACTAL SIMULATION IMAGE OF ATOM OF SILICON IN MICROELECTRONICS

Abstract

The questions of synthesis of fractal model considering features of technology of creation of semiconductor structures on the basis of stable isotopes of silicon are considered. The general principle of aprioristic creation of the semiconductor materials capable to realize a high rate of heat conductivity for products of the microelectronics operated at high frequencies is established. The components of the general concept of synthesis of new samples of products of microelectronics showing the prospects of computer modeling of fractal images of atomic designs of semiconductors are presented.

About the Authors

L. .. Makarov
The Bonch-Bruevich State University of Telecommunications
Russian Federation


S. .. Protasenya
The Bonch-Bruevich State University of Telecommunications
Russian Federation


References

1. Макаров Л.М. Алгоритм позиционирования атомов химических элементов // EUROPEAN RESEARCH: INNOVATION IN SCIENCE, EDUCATION AND TECHNOLOGY. Collection of scientific articles ХXXIX International scientific and practical conference. 2018. С. 9-16.

2. Макаров Л.М. Априорные знания об атомах химических элементов // Проблемы современной науки и образования. 2018. № 5 (125). С. 6-15.

3. Макаров Л.М., Поздняков А.В. Формализм позиционирования стабильных изотопов // Проблемы современной науки и образования. 2018. № 6 (126). С. 119-124.

4. Макаров Л.М., Протасеня С.В. Оценка трафика телекоммуникационной сети в условиях высокой неопределенности обнаружения семантических признаков // Труды учебных заведений связи. 2017. Т. 3. № 4. С. 70-78.

5. Мартинсон Л.К., Смирнов Е.В. Квантовая физика. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2012. 528 с.

6. Гусев А.В., Гавва В.А., Козырев Е.А. Выращивание монокристаллов стабильных изотопов кремния // Перспективные материалы. 2010. № 8. С. 366-369.


Review

For citations:


Makarov L..., Protasenya S... THE FRACTAL SIMULATION IMAGE OF ATOM OF SILICON IN MICROELECTRONICS. Proceedings of Telecommunication Universities. 2018;4(2):91-98. (In Russ.)

Views: 283


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1813-324X (Print)
ISSN 2712-8830 (Online)