Рассмотрены вопросы синтеза фрактальной модели, учитывающие особенности технологии создания полупроводниковых структур на основе стабильных изотопов кремния. Установлен общий принцип априорного создания полупроводниковых материалов, способных реализовать высокий показатель теплопроводности для изделий микроэлектроники, эксплуатируемой на высоких частотах. Представлены составляющие общей концепции синтеза новых образцов изделий микроэлектроники, демонстрирующие перспективы компьютерного моделирования фрактальных образов атомарных конструкций полупроводников.
The questions of synthesis of fractal model considering features of technology of creation of semiconductor structures on the basis of stable isotopes of silicon are considered. The general principle of aprioristic creation of the semiconductor materials capable to realize a high rate of heat conductivity for products of the microelectronics operated at high frequencies is established. The components of the general concept of synthesis of new samples of products of microelectronics showing the prospects of computer modeling of fractal images of atomic designs of semiconductors are presented.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.