МОДЕЛИРОВАНИЕ ФРАКТАЛЬНОГО ОБРАЗА АТОМА КРЕМНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
Аннотация
Рассмотрены вопросы синтеза фрактальной модели, учитывающие особенности технологии создания полупроводниковых структур на основе стабильных изотопов кремния. Установлен общий принцип априорного создания полупроводниковых материалов, способных реализовать высокий показатель теплопроводности для изделий микроэлектроники, эксплуатируемой на высоких частотах. Представлены составляющие общей концепции синтеза новых образцов изделий микроэлектроники, демонстрирующие перспективы компьютерного моделирования фрактальных образов атомарных конструкций полупроводников.
Об авторах
Л. М. Макаров
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича
Россия
Россия
С. В. Протасеня
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича
Россия
Россия
Список литературы
1. Макаров Л.М. Алгоритм позиционирования атомов химических элементов // EUROPEAN RESEARCH: INNOVATION IN SCIENCE, EDUCATION AND TECHNOLOGY. Collection of scientific articles ХXXIX International scientific and practical conference. 2018. С. 9-16.
2. Макаров Л.М. Априорные знания об атомах химических элементов // Проблемы современной науки и образования. 2018. № 5 (125). С. 6-15.
3. Макаров Л.М., Поздняков А.В. Формализм позиционирования стабильных изотопов // Проблемы современной науки и образования. 2018. № 6 (126). С. 119-124.
4. Макаров Л.М., Протасеня С.В. Оценка трафика телекоммуникационной сети в условиях высокой неопределенности обнаружения семантических признаков // Труды учебных заведений связи. 2017. Т. 3. № 4. С. 70-78.
5. Мартинсон Л.К., Смирнов Е.В. Квантовая физика. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2012. 528 с.
6. Гусев А.В., Гавва В.А., Козырев Е.А. Выращивание монокристаллов стабильных изотопов кремния // Перспективные материалы. 2010. № 8. С. 366-369.
Рецензия
Для цитирования:
Макаров Л.М., Протасеня С.В. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФРАКТАЛЬНОГО ОБРАЗА АТОМА КРЕМНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. Труды учебных заведений связи. 2018;4(2):91-98.
For citation:
Makarov L..., Protasenya S... THE FRACTAL SIMULATION IMAGE OF ATOM OF SILICON IN MICROELECTRONICS. Proceedings of Telecommunication Universities. 2018;4(2):91-98. (In Russ.)
Просмотров:
282
Послать статью по эл. почте 