Разработка и создание полупроводниковых устройств актуализирует проблему предварительного моделирования, позволяющего в значительной степени снизить затраты на проведение научных и технологических исследований. В представленной статье рассмотрен информационный подход по созданию фрактальной модели полупроводниковой структуры с учетом атомарных конструкций химических элементов, обеспечивающей возможность априорного исследования и вычисления типовых показателей рабочих процессов полупроводника. Методологическая основа процесса моделирования полупроводников представляется основой для разработки гетерогенных конструкций.
Development and creation of semiconductor devices updates a problem of the preliminary modeling allowing lowering substantially costs of carrying out scientific and technological research. In the presented material of work information approach on creation of fractal model of the semiconductor structure taking into account atomic designs of chemical elements providing a possibility of a priori research and calculation of standard indicators of working processes of the semiconductor is considered. The methodological basis of process of modeling of semiconductors is represented a basis for development of heterogeneous designs.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.